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Diskrete Halbleiter-Produkte
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RF/if und RFID
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Optoelektronik
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- USB, DVI, HDMI Stecker-Adapter(45761)
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- Solid State Lighting Verbinder-Kontakte(2509)
- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren-Adapter(765)
- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Shunts, Jumper(821)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
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- Rechteckige Anschlüsse - Board in, Direktdraht zum Board(2459)
- Rechteckige Verbinder-Adapter(251)
- Rechteckig - Brett zu Board -Steckern - Header, Behälter, weibliche Sockel(2982)
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- Rechteckige Anschlüsse - Board -Abstandshalter, Stacker (Board zu Board)(27782)
- Rechteckige Anschlüsse - Arrays, Kantentyp, Mezzanin (Board zu Board)(14186)
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- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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- Photovoltaik- (Solarpanel) Anschlüsse - Kontakte(69363)
- Photovoltaik (Solar Panel) Steckverbinder(365)
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- Modulare Steckverbinder-Verdrahtung Blöcke(653)
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- Modulare Steckverbinder-Stecker Gehäuse(3582)
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Relais
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Vishay Siliconix SISA12BDN-T1-GE3
| Artikelnummer: | SISA12BDN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1000+ | $0.4166 |
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-
Vishay Siliconix SISA12BDN-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SISA12BDN-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Vgs (Max) +20V, -16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Serie TrenchFET® Gen IV Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V Verlustleistung (max) 4W (Ta), 52W (Tc) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Ta), 87A (Tc) -
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